产业链人士:三星电子 3nm 工艺研发仍面临技术难题

产业链人士:三星电子 3nm 工艺研发仍面临技术难题

8 月 27 日消息,据国外媒体报道,上周曾有报道称,研究机构预计三星电子的 3nm 制程工艺,不太可能在 2023 年之前量产,量产的时间可能会晚于台积电的 3nm 工艺。而英文媒体最新的报道显示,采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星 3nm 制程工艺,目前在研发方面仍有挑战,还有关键技术问题尚未解决。英文媒体是援引产业链人士的透露,报道三星 3nm 工艺的研发仍面临挑战的。这名产业链的消息人士还透露,就成本和芯片的性能来看,采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术的三星 3nm 制程工艺,竞争...
超越 3nm,三大晶体管结构方案解读

超越 3nm,三大晶体管结构方案解读

8 月 13 日消息,随着三星、英特尔、台积电、IBM 等半导体厂商相继发布新晶体管结构的进展,半导体行业正处于晶体管结构转变的前夜。虽然芯片行业从不急于采用新的晶体管结构进行量产,但如果想要生产 3nm 或 2nm 制程的逻辑芯片,英特尔、三星、台积电等厂商必须从当前的鳍式场效应晶体管结构(FinFET)逐渐过渡到纳米片结构(Nanosheets)。堀口直人是 IMEC(比利时微电子研究中心)逻辑 CMOS 微缩项目主管,曾在富士通实验室和加州大学圣巴巴拉分校等机构任职。目前,堀口直人的研发重...
Digitimes 盘点晶圆厂技术指标,三星 3nm 密度不及英特尔 7nm

Digitimes 盘点晶圆厂技术指标,三星 3nm 密度不及英特尔 7nm

做啦 7 月 13 日消息 供应链媒体Digitimes 今日整理了三大晶圆厂以及 IBM 在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 的技术指标(晶体管密度)演进对比图。科普:晶体管密度即芯片上每平方单位晶体管数,此处对比的是每平方毫米晶体管数量。Digitimes 指出,英特尔此前声称台积电的 7nm 制程与其 10nm 制程相当,从技术角度而言这可能是真的,虽然英特尔还没有真正超过台积电,不过三星的工艺是真的水。做啦了解到,三星曾多次宣布他们带领台积电推出了更先进的工艺技术,但最终未能争...
5G 技术新突破:毫米波设备成本大幅降低,天线还能直接“打印”

5G 技术新突破:毫米波设备成本大幅降低,天线还能直接“打印”

7 月 6 日消息,近日,佐治亚理工学院、诺基亚贝尔实验室和赫瑞瓦特大学的研究人员已经找到了一种实现低成本反向散射无线电(backscatter radios)传输的方法,该方法能够让设备实现“GB 每秒”的 5G 传输速度。反向散射技术是指设备自身不产生信号,但是通过反射传输过来的信号,从而达到信息交换的目的。反向散射能够实现 5G 毫米波通信,但是毫米波的 5G 设备成本较高,其一般需要配置多个堆叠晶体管(multiple stacked transistors)。研究人员通过单晶体管高阶调...